抗震动固态存储器的高可靠性是通过以下方法实现的：

　　技术方案：采用RAID级别的物理阵列构建：为了保证数据的可靠性，抗震动固态存储器内部采用了RAID4级别的物理阵列结构。这种结构将固态盘内部的所有闪存芯片分成若干组，每组由N个连续的闪存芯片组成一个RAID4级别的闪存阵列。在闪存阵列中，每个闪存芯片相同偏移位置的页组成一个条带。通过这种方式，即使某个闪存芯片出现故障，数据仍然可以从其他闪存芯片中恢复。

　　满条带写和顺序写：为了提高写性能，抗震动固态存储器采用了满条带写和顺序写的策略。在写入数据时，从缓冲区中取出N-1个数据块，并计算出这些数据块的校验值。然后将这些数据块和校验值拼凑成满条带数据，写回闪存阵列。通过这种方式，可以减少写入操作的次数，提高写入性能。

　　冷热数据分离：为了进一步提高性能，抗震动固态存储器在接收数据时进行了冷热数据分离。在缓冲区中建立并维护一个冷数据链表和一个热数据链表。根据数据的热度，将数据分为冷数据和热数据，并分别存储在对应的链表中。这样可以更有效地管理数据，提高读写性能。

　　坏页管理：抗震动固态存储器还采用了坏页管理策略来提高可靠性。当发现闪存芯片中的某个页出现坏块时，将该坏块的信息记录在坏页哈希表中。在写入数据时，会检查分配的条带空间中是否存在坏页，并根据情况进行处理，以保证数据的完整性和可靠性。

　　抗震动固态存储器通过采用RAID级别的物理阵列、满条带写和顺序写、冷热数据分离以及坏页管理等技术手段，实现了高可靠性的存储解决方案。